TSv相关论文
第五代移动通信技术随着5G商业化而更加广泛的被使用,更好地服务于我们的日常工作与生活,增强了人与人、人与物、物与物的通信与连......
利用垂直维度的异构集成是其未来的一个发展方向,三维堆叠芯片作为其代表技术,通过利用硅通孔（Through Silicon Via,TSV）实现不同功......
RF MEMS开关是MEMS技术的重要应用,是实现控制微波信号传输的关键器件,是构成可调滤波器、多位移相器、多位延时器等射频MEMS器件......
异构集成技术是通过集成不同材料和工艺的器件,提高芯片整体的性能的一种高密度、高融合度的集成技术。异构集成器件能够在设计之......
硅通孔（TSV）技术是堆叠器件三维封装领域新的技术方案。器件采用先进的3D封装互连方式,能够进一步加速产品的时钟频率、降低能耗和提......
射频微系统在雷达、通信、电子对抗等领域具有重要应用价值。随着射频前端向着小型化、高度集成化的方向发展,具有更高互连密度的B......
实现同步整流能够有效提高次级整流效率,并且有利于实现电源模块的小型化.将同步整流器中的控制电路和整流桥分别制作在两层芯片上......
基于Al GaN/GaN HEMT工艺的射频功率放大器芯片,因为其良好的性能被广泛应用于各种先进设备中。但是作为功率器件,高温对器件性能......
三维集成采用硅直通孔（Through-Silicon Via,TSV）实现堆叠式互连,满足高速低功耗的需求,成为延伸摩尔定律的突破性技术。然而,利用TS......
三维集成技术利用穿透硅基底的硅通孔（TSV）,实现了各芯片层器件间的电气连接,一起完成一个或多个功能,使得三维集成电路（3D IC）具有高......
近年来,随着电子产业的高速发展,集成电路（IC）功能不断增强,晶体管比例也在不断缩小。然而,日渐缩小的半导体尺寸已经触及了纳米尺度......
由于硅通孔互连(Through Silicon Via,TSV)三维封装内部缺陷深藏于器件及封装内部,采用常规方法很难检测.然而TSV三维封装缺陷在热......
随着微电子技术的飞速发展，以互补金属氧化物半导体(CMOS)技术为主的集成电路技术已经进入纳米级。特征尺寸的不断减小使得摩尔定律......
基于TSV技术,提出了一种应用于三维集成电路的积累型NMOS变容二极管.通过与传统积累型NMOS变容二极管对比,证明了基于TSV的积累型N......
期刊
随着微系统技术向三维立体集成不断发展,Interposer技术逐渐成为关注的焦点,是未来电子系统小型化和多功能化的重要技术途径,具有......
期刊
本文应用流行病学调查方法和电镜超薄切片技术．对福建省4个中华鳖养殖场的病毒件传染病进行观察，发现在病鳖肝细胞中的中华鳖病毒（TSV......
南美白对虾感染桃拉病毒后主要症状为:(１)体形消瘦,甲壳变软,红须,红尾,体色变为暗红色;(２)病虾摄食减少或不摄食,游动缓慢而无规律,......
Investigation on mechanism of polymer filling in high-aspect-ratio trenches for through-silicon-via(
Vacuum-assisted spin-coating is an effective polymer filling technology for sidewall insulating of through-silicon-via(T......
据《NKKEI MicroDevices》2009年第11期报道,日本Elpida存储器公司采用TSV工艺开发了8层叠装的IG DRAM芯片。电极材料由多晶硅改为......
法国CEA-LETI公司、法国萨瓦大学(Universite de Savoie)及意法半导体(STMicroelectronics)共同分析了在带有65 nm工艺CMOS电路的......
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
IC垂直化能在不采用更小工艺尺度条件下,实现更高密度的电路。最近一篇文章(参考文献1)提出了有关3DIC的三个问题:什么是3DIC,它们......
意法半导体(ST)率先将硅通孔技术(TSV)引入MEMS芯片量产。在意法半导体的多片MEMS产品(如智能传感器、多轴惯性模块)内,硅通孔技术......
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(through silicon via,TSV)的硅基制备以及晶圆级白光LED的封装方法。针对硅基大功率LED的封装结构建......
研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子......
TSV转接板组装工艺过程引起的封装结构翘曲和应力对微凸点可靠性有重要影响。该文采用有限元方法,分析了TSV转接板封装自上至下和......
为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期......
针对性能优越的同轴-环形硅通孔(Coaxial-Annular Through Silicon Via,CA-TSV)结构,提出了特征阻抗、功率、时间常数以及寄生参数......
Silex-真正的纯MEMS代工厂纯MEMS代工厂商业模式-只提供MEMS代工服务-MEMS创新与工艺流程、材料和设计紧密结合-注重IP保护,是创新......
会议
Applications of TSV合金TSV的意义TSV的孔径小到几微米大到几百微米不等,但对于尺寸在几十微米到几百微米之间的TSV,至今仍然没有......
会议
三维封装硅通孔(TSV)技术由于其具有较高的互连密度和更短的互连长度,进而能实现更好的电性能、更低功耗,更小尺寸以及更轻的质量......
为了满足电子产品更轻、更小、更薄、功能性更强的社会需求,发展3D封装技术势在必行。其中,使用硅通孔方式将芯片之间连接的一种新......
学位
随着AI、5G、超大规模存储的云服务,高性能显卡以及高端服务器的应用,传统2D封装技术已经不能满足相关设计与性能需求,在市场需求......
硅通孔(TSV)技术作为实现三维(3D)封装的关键而被广泛关注。该文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅的应力状态,给出了通孔......
本文提出了一种防串扰的TSV自动排布算法。本文首先分析了TSV串扰的机理，利用Comsol分析了通过接地TSV实现屏蔽方法的有效性，进......
为准确分析应用于三维集成电路中硅通孔(Through Siliocn Via,TSV)的高频电学特性,本文在考虑TSV MOS效应的基础上,对提取TSV寄生......
在半导体工业中使用过硅通孔的3D集成电路是一项新型的技术.过硅通孔是克服规模限制的一种有效的技术,可靠性低以及成品率低是这项......
采用复合材料性能的细观力学分析方法，即以填充硅通孔的铜和硅基体作为基本“元件”，分别看做各向同性的均匀材料，然后根据几何形......
硅通孔(TSV)技术可以用于芯片和基板的转接板互联以及芯片堆叠，因此被认为是实现先进封装中提高系统性能的关键。本文建立了TSV......
硅通孔(TSV)技术作为实现3D封装中芯片堆叠和硅转接板互联的关键而被广泛关注。本文研究了在温度载荷作用下TSV转接板上铜和硅......
在TSV制作和使用过程中，TSV需要承受不同的温度循环，由于转接板上铜和硅的热膨胀系数的不匹配性，其界面处容易发生开裂和分层，导致......
在TSV制作工艺中，绝缘层SiO2的存在可以防止后形成的导电材料(如铜)扩散入衬底，从而提高芯片的电学可靠性和稳定性。但其存在使......
