以Ａｒ＋１０％Ｈ２（体积分数计）、Ｈ２及Ｎ２为载气，采用射频ＰＣＶＤ技术在４０Ｃｒ钢表面制备了ＢＮ膜；对沉积ＢＮ膜进行了ＦＴＩＲ、ＴＥＭ和ＳＥＭ等分析；并对不同载气下膜与基体的结合力、膜层残余应力、......

本文研究了直流等离子体ＣＶＤ法制备Ｃ－ＢＮ薄膜。在衬底温度８５０℃和放电电流密度４Ａ／ｃｍ＾２条件下，ｃ－ＢＮ膜生长速率可达１０μｍ／ｈ反应气体是Ｂ２Ｈ６＋ＮＨ３＋Ｈ２，并且工作压强为１３－２６ｋＰａ。......

以Ａｒ＋１０％Ｈ２（体积分数）Ｈ２及Ｎ２为载气，采用射频ＰＣＶＤ技术在４０Ｃｒ钢表面制备了ＢＮ膜，对沉积ＢＮ膜进行了ＦＴＩＲ，ＴＥＭ和ＳＥＭ等分析，并对不同载气下膜与基体的结合力，膜层残余应力，硬度及耐磨......

采用ＦＴＩＲ、ＴＥＭ、ＳＥＭ等技术，在对渗硼层表面经ｒ．ｆ．ＰＣＶＤ沉积的ＢＮ膜进行了研究。试验证明，与采用Ｎ２气和Ｈ２气相比，以Ａｒ＋１０ｖｏｌ％Ｈ２作为载气，所获得的膜层ｃ－ＢＮ含量较高，膜厚最大，可达４．６μｍ，且......

介绍了 ｃ－ＢＮ的优异特性及应用前景。评述了 ｃ－ＢＮ膜的几种低压物 理气相沉积（ＰＶＤ）和低压化学气相沉积（ＣＶＤ）制备方法，分析其成膜特点及对ｃ－ ＢＮ形成有显著影响......