vdmosfet相关论文
对最基本的场板结构 ,通过理论推导 ,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系 ;又给出了场板......
本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构......
本文对击穿电压为100V,导通电阻为14mΩ的VDMOSFET进行了优化设计,采用新的穿通型的设计思路,合理的JFET注入剂量和相应的工艺改进......
Microelectronic power converters such as buck and boost converter are required to be tolerant to radiations including el......
功率VDMOSFET是功率电力电子器件的主流产品之一.它在大功率开关、功率放大器等领域中的应用日益广泛.VDMOSFET具有高输入阻抗,低......
采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成.利用Mathematica软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp变化关系的三维曲线图.以5......
研制出一种高可靠性、具有过流自保护功能的高压大功率ＶＤＭＯＳＦＥＴ器件，它采用与常规ＶＤＭＯＳＦＥＴ工艺相同，结构不同的设计。该器件的漏＝源击穿电压大于２００Ｖ〈正常......
本文论述了具有垂直沟道、多单元结构的高电压、大电流功率MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的设计理论及方法.并从四个方面阐述了其结构......
A subcircuit-based model for the insulated gate bipolar transistor(IGBT) is proposed and optimized. The IGBT wide base c......
对IGBT模型暂态部分进行了详细的理论分析.考虑到IGBT的工作条件,必须用非准静态分析法描述IGBT的暂态电流、电压波形.并用MATLAB......
为减小ＶＤＭＯＳ的反向传输电容，设计了三种体内鲺...
PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场......
文章以正方形单胞为例,较系统地分析了VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数之间的关系.重点讨论了N沟道VDMOSFET的P-体扩散区结深Xjp......
对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型-等效截面模型.给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系......
栅电荷是低压功率MOSFETs开关性能的一项很重要的参数.器件优值(Ron*Qg)是常用来量化开关性能的指标.文中对传统结构和新结构的栅......
本文论述了全离于注入高压低导通电阻VDMSFET的设计思想及制造工艺。详细分析了管芯制造过程中离子注入的杂质浓度和分布曲线,以及......
本文采用保角映射精确计算了线性单元图形VDMOSFET外延层电阻,并与45°扩展角模型的结果进行比较,给出了近似方法适用的范围。......
采用 Mo栅工艺技术降低栅串联电阻 ,通过优化工艺参数 ,全离子注入工艺 ,研制出了在 40 0 MHz下共源推挽结构连续波输出 30 0 W的......
对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究。分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响。计算结果与文献中......
比较系统地分析了正六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻模型．...
本文推导出外延层穿通击穿情况下均匀掺杂外延层电阻率和厚度的关系式,及使外延层理想比电阻ρW取最小值时电阻率和厚度的精确表达......
介绍了VDMOSFET工作原理和VDMOSFET导通电阻的组成．利用Mathematlca软件作出了VDMOSFET单胞电阻随Lw与Lp，变化关系的三维曲线图．以500......
本文以正方形单胞为例,较系统地分析了器件的物理机制、结构及其工作原理,并通过大量计算和分析找出多晶硅窗口区尺寸LW和多晶硅尺......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
分析了VDMOSFET导通电阻模型，提出了单胞尺寸是影响导通电阻的最重要因素。单胞尺寸的最佳化选择可使器件的特征导通电阻RonA（单位面......
介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法，给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果，讨论......
采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VDMOSFET器件的研制.实验结果表明,采用SDB硅片制造出的......
随着电力电子工业的不断发展,面对功率器件在大功率、小体积、低功耗和耐高温等方面更高的需求,碳化硅(SiC)因为其优良的材料特性......
VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电......
文章通过对VDMOSFET导通电阻模型的分析，结合VDMOSFET芯片生产过程中用到的等离子刻蚀工艺理论，探索通过优化刻蚀工艺以改善VDMOSFET......
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本文介绍了功率VDMOSFET导通电阻的模型,重点讨论了PW与PT对特征导通电阻RonA的影响,经过大量的理论计算,给出了击穿电压为500V时P......
较系统地分析了正方形单胞结构VDMOSFET的特征导通电阻与结构参数间的关系.详细地介绍了一种新型实用的VDMOSFET的特征导通电阻的......
初步探讨了在VDMOSFET的CAD系统软件设计中有关数据类型的设计及相应的一些处理方法。...
通过对VDMOS结构器件测量的I-V特性和模拟结果的分析 , 发现在此结构中,寄生的双极管对器件性能具有不良影响.可以来用一种新型的......
对最基本的场板结构,通过理论推导,深入讨论了场板下氧化层厚度与击穿电压、氧化层玷污所带正电荷电量之间的关系;又给出了场板长......
提出了一种提高高压垂直双扩散MOS场效应晶体管（VDMOSFET）的体二级管恢复速度的新方法，在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每......
文章主要研究了低压ESD保护栅型沟槽VDMOSFET的设计制造方法。首先简要分析了沟槽VDMOSFET的结构、工作原理以及ESD保护结构的理论......
介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论......
采用Ｍｏ栅工艺技术和ｎ沟道增强型ＶＤＭＯＳ结构，研制出了在９５－１０５ＭＨｚ，脉宽Ｐｗ＝５０ｕｓ，占空．比ＤＦ＝５％的条件下，输出功率Ｐｏ≥６００Ｗ，共源结构输出功率达６００ Ｗ的高性能ＶＤＭＯＳＦＥＴ。......
详细地介绍了一种新型实用的VDMOSET特征导通电阻的物理解析模型.该模型不仅物理概念清晰,有利于定型指导器件的研制和生产,而且简......
对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSF......
主要介绍了VDMOSFET的终端优化设计,讨论了已有终端结构中的场环、场板技术,工作原理.以一种新型的高频VDMOSFET与模拟栅相结合的......
