光刻术相关论文
The strong absorption of materials in the extreme ultraviolet (EUV) above ~50 nm has precluded the development of effici......
利用琼斯矩阵分析了大角度入射情况时薄膜诱导的偏振像差，通过理论推导提出了减小薄膜诱导偏振像差的膜系设计方法，即在满足最基本的......
提出一种制作连续沟形微光学元件的新方法，用移动物面上二元图案的方法来获得连续灰度的记录，再用卤化银明胶处理技术，把灰度银像转化......
描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究，采用负性辐射线光刻胶聚氯甲基苯乙烯，得到了......
本文提出发展蚀刻二元元件的工艺,其中最重要的是选择适当的蚀速比,它是制作具有连续厚度分布的浮雕型光刻全息图的关键,文中给出......
目前在一系列应用中 (医学、光刻术等 ) ,用得很多的是短波长 Kr F*放电激光器 (波长 2 48nm) [1 ] 和 Ar F* 放电激光器 (波长 19......
提出了一种以生产率、剂量精度与激光器使用成本三者最佳匹配为优化目标的步进扫描投影光刻机剂量控制参量优化新算法及其数学模型......
美国乔治亚工学院研究人员称，他们已成功开发出一种纳米光刻术。这种新型纳米光刻术不仅速度极快，而且能够用于包括空气和液体等多种......
运用光刻技术和原子力显微技术(AFM)研究了亚硫酸根离子对硅和二氧化硅在40%(w)氟化铵水溶液中腐蚀速率的影响.结果表明硅和二氧化......
SiliconValleyGroup与NASA合作开发了一代微光刻技术据有关资料报道，美国的SiliconValleyGroup与NASA的GoddardSpaceFrightCenter合......
在半导体制造业中，制作出更小的晶体管并把它们更紧密地放到硅集成电路芯片上意味着计算机的运算速度将更快。现在先进的微处理器芯......
美国乔治亚工学院研究人员称，他们已成功开发一种纳米光刻术。这种新型纳米光刻术不仅速度极快，而且能够用于包括空气和液体等多种工......
采用软Ｘ射线近贴式光刻术，对ＤＣＰＡ光刻胶的曝光性能进行了系统研究，得到了一些新的实验结果。......
假如人们愿意花这钱的话，将来的芯片必定会完全不同于现在当半导体工业在技术上有了充分把握时，它就没有几个竞争者。在过去的３０年中每......
酸性废水和石膏废料是两种常见的工业污染物．煤矿废弃之后．内部往往出现酸性水．有时酸性水会溢出地表．污染河流．而工业制碱则会产生数量......
面对可用焦深日益缩短的趋势,高精度的焦面控制技术显得尤为重要。针对双工件台光刻机中采用的焦面控制技术,介绍了基于偏振调制的......
定义了硅表面上硅和二氧化硅的横向腐蚀速率，系统地测量了硅(100)晶面上的硅和二氧化硅在40％(质量分数)氟化铵水溶液中的横向与纵向......
