异常辉光放电相关论文
研制了具有三级涡轮分子泵差分抽气系统的分子束质谱装置 ,该装置在 1330 0Pa典型气体采样压力下 ,三级差分抽气区的压力分别达到 ......
在金属方面应用真空技术已有真空熔炼、真空钎焊和真空热处理。近来在表面硬化的热处理上,为了提高成品的附加价值并节省原料和人......
一、前言 在毛主席革命路线指引下,在院各级党组织的领导下,我们发扬独立自主、自力更生的革命精神,团结奋战,攻克难关,于1975年......
四、关于工艺参数的测量和控制为了获得工艺重见性,提供正确可靠的工艺参数尤为重要。离子氮化的工艺参数主要包括处理温度、气体......
本文根据对离子轰击化学热处理电源的要求,研究出用集成电路取代分立元件热处理控制和保护的新电源,采用集成电路能防止和抑制异常......
矩形平面磁控溅射装置中存在着诸如磁场、电场、气压、靶材、基片温度及速度、几何结构等参数间的相互影响，并且最终决定了沉积薄膜......
1、引言为了强化金属,在渗碳领域内,发展了许多新工艺。当前,机器的功率日益增大,对于材料性能的要求越来越高,因此,以改进疲动强......
本文叙述了在普通离子渗氮炉中进行无外加热源的离子渗碳工艺的研究。结果表明,在渗氮炉内增设简单装置,可获得优质、快速、节能的......
PVD 工艺在机械应用中,产生等离子体的有商业价值的方法有三种,它们是离子轰击溅射,熔池蒸发和电弧放电蒸发。这篇文章介绍了 PVD ......
为了获得一种能在较低温度下(≤600℃)以较高的速率(0.03～0.1mm/h)实现多种元素在工件表面的合金化,并使工件直接得到强化,作者提出......
专利申请号:02138277.8公开号:1442506申请人:建湖刚玉金属复合材料有限公司本发明涉及利用高能离子向金属基体渗镀二硅化钼形成梯......
在脉冲非平衡磁控溅射环境中,通过提高脉冲靶电压(分别为600、700及800 V)使工作气体Ar获得3种不同强度的异常辉光放电状态(单脉冲......
本文从离子镀技术的基本原理出发,用普通真空镀膜机设计,改装成离子镀设备。为了实现对非导体陶瓷基片进行离子镀膜,根据非导体本......
本文分析了平面磁控溅射放电的物理过程，从而解释实测的放电特性──伏安特性，着火电压与气压的关系，并提出平面磁控溅射放电可以认为......
利用Ｘ射线非镜面散射方法，分析了不同氩气压下磁控溅射制备的Ｍｏ薄膜的微结构。实验与模拟计算表明：随着氩气压的增加，非晶层的密度减小，薄......
本文所讲的隔热膜主要用于建筑玻璃,可方便地贴于玻璃表面,起到隔热、透光、防爆节能的作用,而且成本低廉。克服了传统镀膜玻璃成......
利用不同压强的氩气分别对铜靶(直径为14cm)和不锈钢靶(直径为30cm)进行了离子轰击清洗试验;测量了伏—安曲线,得出了清洗铜靶的最......
本文论述了空心阴极效应及其在辉光放电离子渗金属方面的一些应用,为进行辉光离子渗金属时源极和阴极的形状尺寸设计提供参考。
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等离子渗碳是目前继气体渗碳、真空渗碳后所采用的第三种渗碳方法。具有高浓度渗碳、高深度渗碳及对于烧结件和不锈钢的难渗碳件......
真空是一种气体压强低于标准大气压的特殊气体状态，在国民经济的各个领域应用极其广泛，在机机械工业中应用也很广，尤其真空热处理技术......
本文主要介绍当今刀具材料在涂层方面的发展、真空电弧离子镀的机理、冷阴极多弧靶的结构原理及涂层设备方面的研究情况。
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使用热丝ＣＶＤ法研究了碳源种类、氧气含量、灯丝温度、基底与灯丝间距离及异常辉光放电等对金刚石膜生长速度的影响，在此研究的基础上，优......
离子渗碳炉,是在真空加热室设置辉光放电机构,将微量C_3H_8气体导入升温至900℃以上的炉内,炉内压力保持在数百帕,将处理物做为阴......
本文在论述真空溅射镀膜的工艺基本环境——异常辉光放电的基础上，阐述了电源的几点要求；提出当前在技术上解决适应真空溅射镀膜的直......
用MgB靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO衬底上原位一次性得到了MbB超导薄膜,其起始转变温度为33K,零......
利用三级差分抽气的分子束质谱装置,对短间隙纯氢异常辉光放电阴极鞘层区中Hn+ (n＝l～3)离子粒种及相对离子流强度与气压、放电电流的......
１前言 镀膜玻璃是用于高层建筑比较理想的高 档墙体装饰材料之一，由于它具有良好的光 学热反射性能和单向透像功能，因此，它也 被称为热......
对于薄壁断面铝型材挤压模具,当液体和气体渗氮不能获得所需的表面性能时,离子渗氮可用来增加表面硬度和改善工作性能。所研制的渗......
利用三级差分抽气的分子束质谱装置，对短间隙纯氢异常辉光放电阴极鞘层区中Ｈ＾＋ｎ（ｎ＝１￣３）离子粒种及相以离子流强度与气压、放电电流的关系进行了......
