无掩模相关论文
无掩模光刻技术因其无需物理掩模、成本低、适合大批量生产的优点，在微结构制作中具有广泛的应用。基于数字微镜器件（DMD）的无掩模数......
采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅。利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性。结果表明......
为探究脉冲电压幅值与电解液流动状态对无掩模定域性电沉积微镍柱的影响,采用体视显微镜和扫描电子显微镜SEM 对电沉积的微镍柱进......
该文介绍了一种制作硅立体多层微结构的体微机械加工新技术。基于使用ＫＯＨ溶液的无掩模腐蚀特性，通过设计一块掩模版和进行一次有掩模到......
将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥......
在中国科学院上海应用物理研究所的扫描质子微探针装置上，研制了图形化扫描器，同时研究了适合质子束刻写的光刻胶制备、显影、定影技......
针对深沟槽内结构制作困难的问题,基于单晶硅各向异性腐蚀原理,推导了{100}单晶硅在KOH溶液中无掩模腐蚀过程台阶宽度与无掩模腐蚀......
Mapper Lithography的多光束无掩模光刻机的研发取得了里程碑式的进展，这种新型光刻机将用于先进芯片的制造。Mapper表示，公司已经验......
MapperLithography日前表示，公司已经向台积电（TSMC）发货其首套300mm电子束（e．beam）无掩模光刻工具，用于22nm工艺研发和器件原型制作。......
双光束双曝光和四光束单曝光是无掩模激光干涉光刻的两种典型方法,都容易利用现有光刻工艺,在不需掩模和高精度光刻物镜的情况下,......
无掩模激光干涉光刻中的分束方法一般有波前分割和振幅分割.研究和比较了振幅分割无掩模激光干涉光刻方法和系统,包括振幅分割双光......
激光干涉光刻不受传统光学光刻系统光源和数值孔径的限制,其极限尺寸CD达到曝光波长的1/4,研究了波前分割双光束、三光束方法及四......
在无掩模定域性电沉积增材制造三维金属微结构的工艺试验过程中,针对成型质量、速度与可重复性的基本要求,采用控制单一变量法和正......
为研究基于喷射状态的无掩模定域性电沉积的最佳工艺参数,采用COMSOL Multiphysics仿真软件和实验研究无掩模定域性电沉积三维微结......
