最大电流密度相关论文
当今世界的未来发展面临两大难题:能源危机以及环境污染。固碳产甲烷微生物电合成系统(Microbial electrosynthesis system,MES)以附......
通过分析钢质浮标在海水中的腐蚀原理,探讨浮标外加电流阴极防腐的可行性。
By analyzing the corrosion principle of steel buoy......
描述了真空微电子器件的发展概况,特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示......
报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能 .器件的栅长为 1 0 μm ,源漏间距为 4 0 μm .......
用离子交换膜“Permaplex”,C-20和A-20电渗析法煶纯合氯化钠的9-氨基壬酸,当每100毫升电渗析溶液中合3.5克9-氨基壬酸及1.5克氯化......
报道了具有良好直流特性的晶格匹配 InP基 HEMT,器件的跨导为 600mS/mm,阈值电压为-1 2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GH......
不管镀液中有无光亮剂,超声波搅拌可增加锌酸盐镀锌的电流效率、沉积速度和最大电流密度。普通镀液采用超声波可得到表面光滑、结......
在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨......
在蓝宝石衬底上制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.由于使用了一种全新的T形栅电子束曝光版图,因此可以自由地改变T形栅的宽窄比(T......
法国矿物研究公司成功地采用独特的电解法从氯化铅溶液中制取铅。而老的方法则需要对火法冶金获得的产物作进一步处理。因为火法......
006在脉动磁场中的头的容器模型磁剌激的诱导电流的测量日/汤口万友…BME.--l994,8(9).-206近年来,磁刺激作为刺激神经的有效方法在临床上......
根据传统擦伤电极试验原理,自行设计了一套用于薄膜材料钝化过程研究的装置,由于它采用的是断裂方式产生裸表面,因而克服了传统擦伤方......
本文报导具有良好稳态与瞬态特性的 ia—Si∶H/n~(+C)—Si 异质结二极管.在2V 偏压时稳态整流比大于10~8,最大电流密度达2.5A/cm~2......
日立公司研制成一种适用于超精细彩色显示和高清晰度电视的钪合金阴极.该阴极使用的材料可获得10A/cm~2的高密度电流和850~900℃的......
一、引言众所周知,用于功率开关目的的半导体器件,通常有两类:双极型和MOS型。它们各有其优点和不足:双极功率开关器件优点是电流......
利用有限元法在ANSYS环境中模拟了不同厚宽比、不同频率下的电流分布。结果表明,厚宽比大于1的情况下,电流分布更适合于交变电流辅......
本文介绍了一种新型的以MOCVD原位生长的InmSi3N4为帽层的AlGaN/GaN HEMT。通过与普通的没有Si3N4帽层器件的对比,分析了原位SiN4......
碳纳米管阵列用于行波管冷阴极具有显著的优越性。本文通过对碳纳米管束阵列结构进行仿真优化,获得理论上最优的碳纳米管微束阵列的......
R.Rácz等研究了用一种封闭式湿法冶金工艺从废Zn-C电池中回收锰和锌。首先将废旧电池分解并分类,然后进行机械和化学处理。所得的......
介绍了水向双极性膜中迁移的速度与膜的最大电流密度之间的关系 .理论分析和初步实验说明水的迁移可以用溶解扩散机理来描述 ,为提......
引言设计高分辨率,高亮度阴极射线管(CRT)的一般方法是考虑各种参数的影响,如具体的操作条件,管尺寸,电子枪几何形状以及在所需操......
日本超导工学研究所于今年3月1日发表使用OCMG(氧·控制·熔融·生长)法新技术研制成功具有新钉扎中心(磁通固定)的钕......
<正>南京电子器件研究所成功制备了一种W波段的GaN三级放大电路。采用电子束直写工艺制备了栅长为100 nm的AlGaN/GaN T型栅,其结构......
日本产业技术综合研究所(以下简称"产综研")开发出了一种新材料,通过组合单层碳纳米管(CNT)和铜(Cu),实现了与铜同等的电导率,以及......