电场峰值相关论文
对具有不同的栅极场板结构的p-GaN栅高迁移率晶体管(HEMT)器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学......
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了......
用Silvaco的ATLAS软件模拟了栅场板参数对AlGaN/GaN HEMT中电场分布的影响.模拟结果表明,场板的加入改变了器件中电势的分布情况,......
基于漂移区表面具有单个P-top层Double RESURF nLDMOS的结构和耐压机理,提出了具有P-top层终端结构的Double RESURF nLDMOS结构,并......
