硅离子相关论文
在组织工程中,以硅酸盐为基础的生物活性玻璃（BG）能够促进多种组织的修复,在临床上取得了广泛的应用。Si及其衍生材料对于多种细胞和......
研究了三元采出液中硅离子含量测定的两种方法，硅钼蓝分光光度法适用于测定硅含量低、溶液组分单一的样品；原子吸收法检测浓度范围大......
目的：硅材料已被证明具有良好的促进成骨作用,而钛及钛合金材料的骨整合能力不足.因此,本研究将通过电子束蒸发技术将不同浓度的硅......
目的：钛合金是广泛应用的关节假体材料，而其表面成骨能力不足是关节置换术后假体松动原因之一。我们的前期研究表明，将钛合金表面通过......
养鱼用“奇水”日本水产研究所已发明一种“奇水”，可同时用于短期饲养海水鱼和淡水鱼，以延长鱼的存活期。研究人员把从海水中提取的......
日本海洋研究所的科学家首创出一种既适合海水鱼生活又适应淡水鱼生存的神奇水。这种神奇水可在不换水的情况下,使海、淡水两种鱼......
由于偶氮氯膦mN与镍生成蓝色络合物,其吸收峰与稀土仅差15nm,严重干扰测定,故该试剂对镍的充许限量较低。大量硅胶的析出,不但增......
首先采用等离子聚合法使六甲基二硅氧烷沉积于聚醚型聚氨酯表面，再利用硅离子以不同的剂量时表面进行轰击。结果表明：在2×10(15)cm(......
石英是自然界最常见的矿物,其成分为 SiO_2,称二氧化硅,那些如冰似水、晶莹剔透的谓之水晶。在工业上按质量和用途分为压电石英、......
查瓦里茨基法的数字特征是属于使用与矿物含量没有直接关系的一类参数,尼格里法则是属于较早用化学上的阳离子数量来表示分子标准......
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力,采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料.辐照前后,用pseudo-MOSFET方法测试......
炉渣成份与粘度的影响炉渣的粘度,在很大的程度上决定于离子的大小。离子越大或者阴离子的浓度越大,则在同一温度下,炉渣的粘度也......
稳定胶体态的硫硅聚铝和氯硅聚铝是性能优良的絮凝剂,体系中含有聚硅离子和聚铝离子.红外光谱测试固有的Si—O特征峰随聚铝离子的......
在直角散射配置下测量了纳米硅样品的拉曼散射谱及其退火温度的关系。结果表明，在８００℃以下退火的样品只观察到单晶硅衬底的光学声子模......
水性硅离子改性丙烯酸树脂的生产方法,是在硅烷偶联剂的作用下,改性剂复合硅与丙烯酸树脂接枝聚合获得本树脂。复合硅的制备是先将......
最新研究表明，作物除了需要大量施用氮（N）、磷（P）、钾（K）肥以外，还需要较多星的硅（si）肥。因为硅元素对农作物的增产增收有着异常神奇的效果......
南京固体器件研究所已于1982年12月研制成功12GHz、100-200mW GaAs MESFET。该器件首次采用了质子注入隔离有源区的准平面结构,并......
有三种方法能在p型锑化铟(InSb)上形成n~+层。这就是:(1)以能量为60keV、剂量为1×10~(15)Cm~(-2)的质子进行轰击;(2)以能量为100k......
SiO_2/Si界面的一个重要特征是氧空位(或过剩硅离子)和离化施主型界面态这两类主要结构(化学)缺陷所产生的界面正电荷。鉴于金在......
应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、......
离子注入用于CMOS/SOS 工艺具有许多潜在的优点:(1)它只需要一次外延硅薄膜生长,且在外延期间无需进行掺杂而生产成本征型;(2)可......
本文研究了注入硅离子对离子注入硼的反常瞬时扩散的影响,发现硅离子剂量远低于使晶格无序化必需的剂量,并且明显地减小随后注入的......
报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的......
以α-Si3N4为原料,采用冲击波法合成了γ-Si3N4粉体。在1660～1690K温度下对γ-Si3N4粉体进行高温稳定性研究并利用氢氟酸对γ-Si3N4......
采用离子注入法制作新型晶体管日本ＮＴＴ公司采用像写字那样在衬底上注入离子的方法制成新的器件。所开发的新器件是一种沟道层和栅层由......
在激光等离子体典型参数条件下，利用磁撞－辐射模型计算了类锂硅离子５ｆ－３ｄ和４ｆ－３ｄ跃迁的粒子数反转比率和激光增益系数。讨论了不同热带条件和不......
对１１６ｐｓ，功率密度为５．４×１０（１２）Ｗ／ｃｍ２的激光脉冲和硅平板靶的相互作用进行了数值模拟，得到了类锂硅离子４ｆ粒子波居数和４ｆ－３ｄ跃迁增益系数的时空变化，并与实验结果......
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下，促使无定形层硅在低温（４３０℃）时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为１×１０１２－２．５×１０１７Ｎｉ／ｃｍ２。卢瑟......
赵玉龙42岁,昨天还是一个朴朴实实农民的儿子,今天却是一位精明能干的百万富翁。从身无分文到腰缠万贯,只用一年的时间。赵玉龙的......
由于晶体Si的带间跃迁发光效率比GaAs等化合物半导体低3-5个数量级,无法满足光电子器件的需要,完全的硅基光电子集成网络也一直未......
理想晶体(包括蓝宝石)的颜色与占据其晶格的微量过渡金属元素的种类及含量有直接的关系.玄武岩产状的蓝宝石中含有多种微量元素,这......
用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂......
水性硅离子改性丙烯酸树脂的生产方法，是在硅烷偶联剂的作用下，改性剂复合硅与丙烯酸树脂接枝聚合获得本树脂。复合硅的制备是先将有......
考虑了二价硅离子双激发干扰态３ｐ４ｓ＾１Ｐ１和３ｐ３ｄ＾１Ｐ１对３ｓｎｐ＾１Ｐ１Ｒｙｄｂｅｒｇ序列能级的强组态相互作用，用多组态ＨＲＦ自洽场方法计算了ＳｉⅢ离子３ｓｎｐ＾１Ｐ１序列能级的辐射寿命。计算结果表明该......
在进行类锂硅离子软X射线激光研究的初步实验中,我们用自制的1米消象散掠入射光栅谱仪拍摄了线聚焦激光产生的硅等离子体在40A-120......
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品......
研究了硅离子注入LEC生长的SI-Ga'As材料时BF~+对离子注入层特性的影响。认为BF~+的影响主要反应在B的影响,由于B的掺入使B替G......
近日从广东省质量技术监督局了解到，由茂名日化涂料有限公司编制的《硅离子活性自洁墙面涂料》省地方标准于2007年1月1日批准实施．该......
研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活......
比较了Si~+ 单注入和Si~+ 、Mg~+(隐埋)双注入GaAsMESFET的特性.实验表明,设置高能注入Mg~+隐埋层后,可大大消除衬底背景杂质对有......
用相对论性的ＤＦ方法与非相对论性的ＨＦ方法分别计算了类锂硅离子能级结构及振子强度、跃迁概率，考查了计算精度，对数值结果进行了理论分析......
ＳＩ＾＋注入的热生长ＳｉＯ２，未退火及１０００℃以下退火样品的光致发光谱为峰值在４７０ｎｍ的蓝光带，其光致发光激发谱主要为一位于２５０ｎｍ的窄峰，且谱形不信赖于退火条件，光......
