NiFe薄膜相关论文
利用磁控溅射的方法,在不同规格的硅片上制备相同的NiFe薄膜,主要研究不同晶向的硅片对薄膜磁阻率的影响,以及(100)晶向硅片不同氧......
本文研究了(NiFe)Cr种子层的成分和厚度对NiFe薄膜各向异性磁电阻及微结构的影响.结果表明:当种子层(NiFe)Cr厚度为5.5nm时,NiFe(2......
采用一种新的种子层材料:(NiFe)Cr,通过改变种子层中Cr原子的含量,使得在其上生长的NiFe/FeMn双层膜的织构和晶粒尺寸产生极大的差......
Ni81Fe19合金薄膜因具有高饱和磁化强度、低矫顽力、低铁磁共振线宽等特点,被广泛应用于微波/毫米波器件中,如:带通滤波器、带阻滤波......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m......
采用射频(直流)磁控溅射的方法,在生长了约200nm厚Si3N4过渡层的硅片上制备了NiFe薄膜。采用惠斯通电桥作为磁场的感应部分,设计了惠斯......
利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的......
采用射频磁控溅射法用Ta作为缓冲层,在集成电路晶元上制备NiFe薄膜,并研究分析了Ta缓冲层厚度以及Ta缓冲层溅射功率对NiFe磁阻薄膜......
基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅......
NiFe多层膜一直是各向异性磁电阻材料领域中的研究热点。为满足现代工业对器件尺寸的严格要求,需要在NiFe薄膜尽可能薄的条件下改......
基于NiFe薄膜磁电阻各向异性的磁性传感器,由于其较低的饱和磁场、较高的电阻变化率和较小的退磁场等优点,在我们的日常生活中有重......
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AM......
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了 Ni81Fe19(12nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到 1.2%,而矫顽力却只有127 A/m.同较低本底真空下制备的 Ni81Fe19薄膜进行......
各向异性磁电阻(AMR)薄膜材料被广泛应用于磁传感器和硬盘的读出磁头中。器件的小型化要求AMR薄膜材料必须做得很薄。采用磁控溅射的......
Ni基磁性薄膜由于其磁各向异性、耐腐蚀性能被广泛用于磁头、磁存储等器件中。在应用的过程中为了增加设备的存储密度密度,不影响其......
信息技术的不断进步,使电子产品向小型化,集成化方向发展。最终目标是将各种功能单元在单个芯片上实现,即片上系统(SOC, System On......