紫外发射相关论文
紫外OLED 在高密度信息存储和激发光源等领域中具有广阔的应用前景而成为当前OLED 的重要研究方向之一。然而紫外OLED 的空穴注入......
以茶叶体内的螺旋导管为模板,通过水热处理制备了氟化铕(EuF3)/螺旋碳微米纤维(HCFs)复合结构。通过X射线衍射(XRD)、场扫描电子显......
概述紫外辐射的分类及其应用，介绍紫外辐射荧光粉的合成方法，并着重对SrB4O7：Eu、CeMgBO10：Gd、LaB3O6：Gd，Bi、LaB3O6：Gd，Ce、Gd BO3：Pr、Ba......
由于在信息存储和激发光源等方面的潜在应用前景，在有机电致发光器件(OLED)中，短波长电致发光逐步得到了人们的广泛关注。然而，相......
会议
<正> The influence of the iodine vapour pressure on the mechanisms of XeI* formation is investigated in Xe/I_2 mixture b......
作为一种新型固态照明和柔性显示技术,有机电致发光器件(OLED)由于其机械可柔、纤薄便携和节能环保等优异性能而成为国内外研究热......
氧化锌（ZnO）是Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,室温下禁带宽度约为3.37 eV,激子束缚能为60 meV,热离化能为26 meV。在光催化、太阳能电池、传......
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利用化学气相沉积法(CVD),以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H20为源,NH为掺杂气体制备出掺N的ZnO薄膜,并采用XRD、SEM、XPS、EDS和PL谱对薄......
本文利用射频磁控溅射方法,在Si基片和玻璃基片上制备Al3+掺杂浓度10％-40％的ZnO薄膜,并测试了薄膜的透射谱和光致发光谱.随着Al3+掺......
该篇论文主要利用MOCVD法在Si衬底上生长了高质量的ZnO薄膜,对其做了XRD、原子力显微镜、表面光电子能谱、室温光荧光谱等表征分析......
四十多年来，集成电路技术发展迅速，先后经历了小规模(SSI)，中规模(MSI)，大规模(LSI)，超大规模(VLSI)直到目前甚大规模集成(ULSI)电路发......
氧化锌（ZnO）是具有高激子束缚能（60meV）的宽带隙半导体（室温下约3.3eV）。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性，而备受关注。良好的Z......
氧化锌(ZnO)是具有高激子束缚能(60 meV)的宽带隙半导体(室温下约3.37 eV)。由于其特殊的压电、磁电、电光、声光等物性，而备受关注......
概述紫外辐射的分类及其应用,介绍紫外辐射荧光粉的合成方法,并着重对SrB4O7∶Eu、CeMgBO10∶Gd、LaB3O6∶Gd,Bi、LaB3O6∶Gd,Ce、......
综述了金刚石膜紫外探测器的最新研究,着重介绍了金刚石膜紫外探测器的结构,阐述了它们的紫外响应和发射特性.......
采用聚丙烯酰胺凝胶法制备Al掺杂ZnO（AZO）前驱体,在500和600℃下煅烧获得AZO粉体。采用DSC、XRD、SEM、UV-vis吸收和荧光发光（PL）对粉......
通过固相热分解法合成了ZnO粉末,通过XPS,TEM,XRD及红外光谱分析表明,所合成的物质为非晶ZnO,其基本结构为ZnO@H2O.测量了非晶ZnO......
为了提高ZnO光发射效率和制备p型ZnO,对热处理的氧分压对薄膜的结构、形貌、光致光发射和ZnO/Si异质结的I-V特性的影响进行了研究.......
本发明为一种单分散纳米氧化锌的溶胶-凝胶低温制备工艺，以锌盐、络合剂、分散剂为原料，在水溶液中发生水解和缩合反应，以酸碱来控制......
采用微波辅助共沉淀法制备紫外发射荧光粉Sr1-xCO3：xCe^3＋，并利用扫描电镜、激光粒度测试、X射线衍射和荧光光谱等分析手段分别对样品......
采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了非晶态ZnO薄膜。用X射线衍射仪（XRD）、扫描探针显微镜（SPM）研究了非晶态ZnO薄膜的晶相和微观形貌，用......
报导了一种简单而有效的制备非晶ZnO纳米粉末的方法,即固态低温热解法.并用透射电镜、选区电子衍射、X射线衍射、X射线光电子能谱......
用脉冲激光淀积法（PLD）在（111）面SrTiO3衬底上外延生长ZnO单晶薄膜。样品分别在衬底温度为350℃、500℃、600℃下外延生长。X射线衍射（X......
氧化锌作为新一代化合物半导体，其禁带宽度对应紫外光的波长。氧化锌薄膜有望开发蓝光、蓝绿光、紫外光等多种发光器件，具有广阔的应......
ZnO因其优异的光学性能及其它明显优势而被认为是GaN的潜在替代材料,在近年来日渐受到人们的广泛关注。然而,ZnO薄膜材料的p-型掺......
