超高真空化学气相沉积相关论文
应变硅是新一代超高速材料,是当前微电子学的研究热点.高驰豫的锗硅缓冲层在应变硅的制备中起重要作用.目前,驰豫锗硅的生长主要采......
会议
UHV／CVD （超高真空化学气相沉积）是近年来发展起来的一项生长技术。它兼有MBE（分子束夕延）和MOCVD（金属有机物化学气相沉积）的性能，在SiGe/......
随着SiGe技术逐渐向超薄、低维材料方向发展,对锗硅材料的生长提出了更高的要求。超高真空化学气相沉积(UHVCVD)具有超净的生长环......
Ge1-xSnx合金的晶格常数和禁带宽度分别在5.6579-6.4892A和0-0.66eV(直接带为0-0.8eV)连续可调，并且当x大于～7％时将成为直接带隙半导......
低维碳基纳米材料因其独特的物理和化学性质受到广泛的关注,具有代表性的低维碳基纳米材料如石墨烯、石墨烯纳米条带、碳纳米管、......
碳的加入为 Si- Ge系统在能带和应变工程上提供了更大的灵活性 .处于替代位置的碳可以缓解 Si Ge合金的应变 ,同时调节其能带 .报......
期刊
Si/SiGe/Si heterostructures grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) werecharacterized by Rutherfor......
为获得亚微米级的薄硅外延层,从而提高硅器件的工作频率,利用自行研制的一台新型超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统生长用于高频......
为了满足高性能的红外探测要求，以高品质硅基器件研制了选择性外延锗硅肖特基二极管．利用低温下锗硅材料在二氧化硅表面成核需要一定......
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外......
采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积相结合的方法，低温下在氧化Si衬底上制备出了多晶GeSi薄膜．利用X射线衍射仪、场发射扫描电镜......
介绍了超高真空化学气相沉积（UHVCVD）锗硅外延设备的加热室设计方法,完善了相关的炉体设计,相关温度指标达到设计标准。......
外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延......
采用UHV／CVD技术，以多层SiGe／Si结构作为缓冲层来生长应变弛豫SiGe虚衬底，并在此基础上生长出了具有张应力的Si层．利用高分辨X射线、二......
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室，扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持，本底......
用超高真空化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长掺C高达2.2%的Si1-x-yGexCy合金薄膜，外延层质量良好。用高分辨透射电子显微镜，X射......
采用傅立叶红外吸收光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究了超高真空化学气相沉积外延生长的Si1-x-yGexCy三元合金的热稳定性.在比较高......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
期刊
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期刊
采用超高真空化学气相沉积与金属诱导相结合的方法生长多晶SiGe薄膜。530℃下，金属Ni先与SiGe反应生成Ni硅化物，直至Ni被完全消耗完，......
介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有......
综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD)。目前来说,......
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采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫......
期刊
锗硅(Si1-xGex)是硅和锗组成的半导体合金材料。除具有硅材料的优点外,还具有能带可调以及应力调整等自身的特性,同时它还与目前先......
