【摘 要】
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在考虑电子自旋和声子之间相互作用情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC内弱耦合二维磁极化子能量的影响.数值计算结果表明:自旋使自陷能分裂为二,且随
【机 构】
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烟台大学光电学院,山东,烟台,264005
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
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在考虑电子自旋和声子之间相互作用情况下,应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC内弱耦合二维磁极化子能量的影响.数值计算结果表明:自旋使自陷能分裂为二,且随磁场B增加分裂间距增大;自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比与B无关,恒为0.23;自旋能量与自能之比小于自旋能量与自陷能之比,但非常接近,其比值随B增强而近似线性增大,当B为0和10T时,其比值分别为0和0.008;自旋能量与声子之间相互作用能之比也随B增加而线性增大,当B为0和7.949T时,其比值分别为0和1.该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管,自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等.
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