【摘 要】
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本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层
【机 构】
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北京大学物理学院和人工微结构及介观物理国家重点实验室,北京 100871
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选择比的特性,通过侧向湿法腐蚀AlInN层实现衬底剥离。同时结合干法刻蚀技术以及绝缘体介质材料沉积技术成功制备出了直径为501am,上下为双介质分布布拉格反射镜(DBR)结构的GaN微腔。
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