【摘 要】
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以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰发生蓝移并且峰值半高宽(FWHM)有所降低。用化学腐蚀的方法对纳米柱进行了去损伤处理,发现去损伤后纳米柱的PL强度进一步增强,为处理前的3.5倍。最后用旋涂工艺对纳米柱进行了平坦化,进一步制作成为GaN纳米LED器件。
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