【摘 要】
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在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10cm的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10Ωcm的低接触电阻欧姆接触.与通常的Ti/Al双层结构比较,TiAl合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.进一步分析了N空位和界面层的TiAl这两种机制在形成非合金或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl/Ni/Au接触结构,在TiAl合金结构基础
【机 构】
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北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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在不进行合金化的情况下,首次直接采用TiAl<,3>合金作为金属电极在n型载流子浓度为2×10<18>cm<-3>的GaN上成功得到了比接触电阻率为3×10<-5>Ωcm<2>的低接触电阻欧姆接触.与通常的Ti/Al双层结构比较,TiAl<,3>合金结构更容易形成非合金化的n型欧姆接触.进一步分析了N空位和界面层的TiAl<,3>这两种机制在形成非合金或低温退火欧姆接触中发挥的作用,由此设计的Ti/TiAl<,3>/Ni/Au接触结构,在TiAl<,3>合金结构基础上明显地降低了接触电阻率.
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