【摘 要】
：
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室(北京)
【出 处】
：
第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
论文部分内容阅读
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜,双晶X-射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7﹪.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.
其他文献
本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.
采用标准CMOS工艺,在N型单晶(100)硅衬底上,研制成功一种视觉硅PN结光电探测器,对探测器进行了参数测试和分析,重点研究了探测器光响应信噪比.研究发现,增加减反射膜和特殊的光谱响应普段调节技术,特别是当减反射膜厚度为探测波长的一半时,探测器的相对响应度有最大值.在520nm左右,光响应信噪比可达10以上.研制的探测器对绿光探测灵敏,具有灵敏度高、暗电流小的特点,是一种可供选择使用的理想硅视觉
本文首次采用二维有限元方法计算了带缺陷四端口环形谐振腔结构的光场传播过程,并得到了其各端口响应谱图,用数值实验方法观察到了由于简并破坏而导致的谱分裂,并且采用时域和频域相结合的解析方法,分析了其谱分裂特征,以及随各参数的变化趋势,同时也计算了缺陷尺寸和多少的效应.
测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
本文对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究.在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上,提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小,并对生长过程进行了计算机模拟研究.结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长,调节量子点的生长速度,达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.
运用有限积分法软件MAFIA和有限元软件Isfe13d对某耦合腔行波管输入段进行三维数值模拟,计算输入段的S参数和驻波比,将模拟结果与部分实验数据进行验证,得到了比较一致的结果,其平均计算精度在75以内,证实了这两种电磁软件都可用于行波管输入段的数值模拟,在计算精度上为满足工程设计需要做了一些研究.另外将两种模拟软件在计算时间上作了对比.
本文比较二维磁场计算软件CTA和MAFIA 2d、3d计算结果的差别,进行了收敛性分析,模拟了极靴开波导口对各电子注通道区域磁场的影响,为进行三维电子光学的模拟打下了基础.
用1.5维和2.5维软件对超宽带多注速调管的输出特性,电子光学系统进行了设计计算,并对计算结果进行分析.得到了比较好的速调管输出特性.计算结果表明该超宽带多注速调管可以实现的,其带宽10~14﹪,增益40~50dB,效率40~50﹪.
该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构、发光和电学等物理特性进行了比较系统的研究,发现500℃,62