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功率MOSFET是一种电压控制型单级晶体管，其有驱动电路简单、驱动功率小、高预特性好等优点。由于功率VDMOS管是由几百到几千个元胞组成的单管，因此必须采用超大规模集成电路的精细加工技术所以对外延片表面的颗粒度要求极高。本文主要讨论了在125mmVDMOS外延材科工艺中的缺陷成因、形态以及减少的办法。