【摘 要】
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本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关键工艺技术包括:台面隔离、欧姆接触、钝化、电镀空气桥等技术.经过工艺投片,获得性能良好的AlGaN/GaN HEMT功率器件,器件成品率达到90﹪.
【机 构】
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中国科学院微电子所(北京) 中国科学院半导体所(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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本文基于国产2英寸AlGaN/GaN材料,对2英寸AlGaN/GaN HEMT工艺进行了研究,成功地开发出成套2英寸AlGaN/GaN HEMT功率器件工艺.其关键工艺技术包括:台面隔离、欧姆接触、钝化、电镀空气桥等技术.经过工艺投片,获得性能良好的AlGaN/GaN HEMT功率器件,器件成品率达到90﹪.
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