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对两种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400krad(Si)以上。
功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究
【摘 要】
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对两种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究，条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势，中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管，抗总剂量能力可达1400krad(Si)以上。
【机 构】
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中国科学院 微电子研究所,北京 100029
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年10期
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