论文部分内容阅读
本论文研究了掺杂剂原子种类对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响,实验结果发现,当硅单晶中掺入半径较大的原子会导致空位密度增加,进而提高空洞型微缺陷的密度,反之,当硅单晶中掺入半径较小的原子会降低空洞型微缺陷的密度.
掺杂原子对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷的影响
【摘 要】
：
本论文研究了掺杂剂原子种类对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响,实验结果发现,当硅单晶中掺入半径较大的原子会导致空位密度增加,进而提高空洞型微缺陷的密度,反之
【机 构】
：
河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
其他文献
本文建立了n型4H-SiC材料有效载流子浓度与霍尔迁移率随温度变化的关系模型,得到不同掺杂浓度和补偿率条件下有效载流子浓度随温度变化的曲线.考虑了五种散射机制对霍尔迁移
本文首次提出在Ni中掺入夹层W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性.实验结果表明,经650～800℃快速热退火后,Ni(W)Si薄膜的薄层电阻率保持较小值,小于3Ω/□.XRD和Raman光谱分析均
会议
为了降低Smart-Cut技术的热处理温度,采用等离子体表面处理和B+/H+共注的方法增强硅/二氧化硅键合界面结合力并降低硅的剥离温度.研究了等离子体表面处理对键合界面的影响,系
会议
本文通过对溅射过程中各种条件的选择介绍了如何制备高精度的CrSi2电阻薄膜的方法.同时简要的介绍了电阻网络的设计方法.
在ANSYS中建立了多孔二氧化硅低介电常数介质材料三维结构模型,用有限元方法模拟了通孔结构对于多孔材料机械特性的影响,得到了材料不同方向杨氏模量随孔隙率的变化规律.
本文利用VHF-PECVD方法沉积了一系列不同晶化率的微晶硅薄膜太阳电池,并分别在白光和红光两种光源下进行了老化实验.通过对比白光光照前后电池开路电压Voc和Raman谱的变化,结
SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明治结构通过氧化退火,成功制备出了Ge含量高达
基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力
本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,