SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明......

碳化硅是第三代半导体材料，具有禁带宽度大，饱和漂移速度高，耐高压和耐高温以及抗辐射的优点，因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......

以TiO2超微粉为原料，采用焰溶法制备了金红石单晶体，并在不同的退火温度下，对晶体进行了氧化退火研究，利用紫外-可见分光光度计、红外......

SiGe-on-Insulator(SGOI)是一种新型的SOI材料,在微电子领域具有广泛的应用前景.本文对原有Ge浓缩技术进行改进,将Si/SiGe/Si三明......

以前的研究工作表明，在空气中600℃~ 800℃时，在钨溅射膜表面生长不同的氧化膜，并表明这层溅射膜的抗氧化性能可通过用其它过渡金属(......

采用氧化退火法可消除热轧后造成的脱碳高,通过日常生产积累数据,与标准进行分析,效果较为理想.......

为顺应碳化硅肖特基器件制造工艺日益成熟的趋势,对作为关键工艺的氧化退火技术展开研究,优化SiC/SiO2的界面电学参数从而提升整个......

碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作为一种第三代半导体,具有禁带宽度大、临界击穿电场大、热导率大,使其特别适用于高温高压等领域中......