Ge浓缩技术制备SGOI过程中应力释放机理

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zwj10191021

【摘要】

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基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力

【作者】

：

刘卫丽狄增峰张苗骆苏华宋志棠林成鲁朱剑豪

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

浓缩技术应力释放氧化过程原子力显微镜照片氧化条件透射电镜释放应力释放过程高温条件衬底流动性过氧化入位缺陷理论解释滑移材料

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基于Ge浓缩技术,通过氧化生长在silicon-on-insulator(SOI)衬底上的SiGe,成功制备出驰豫的SiGe-on-Insulator(SGOI)材料.Raman结果表明,1150℃高温氧化条件下SiGe层中的应力得到了完全的释放.原子力显微镜照片和透射电镜照片均表明在应力释放过程中未引入位错和缺陷.我们通过"容忍型"衬底的理论来解释氧化过程所涉及的应力释放.在氧化过程中,由于埋层SiO2在高温条件下具有流动性,所以SiGe层可以在其上滑移,从而释放应力.

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