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本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,因此可利用所谓的"氧化层"厚度在一定程度上间接地反映表面的粗糙程度.
UHVCVD低温外延的表面粗糙度研究
【摘 要】
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本文利用AFM测量不同生长条件下的Si或SiGe外延层,结果表明外延层的表面粗糙度强烈地依赖于外延的温度和气体流量.对于SiGe外延材料,实践中发现粗糙度改变了表面对光的作用,
【机 构】
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清华大学微电子学研究所,北京,100084
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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