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利用ISETCAD器件模拟工具,本文模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,通过模拟我们分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性、开关态电流等器件特性的影响.
沟道应力对纳米尺度MOSFET器件特性的影响
【摘 要】
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利用ISETCAD器件模拟工具,本文模拟了纳米尺度的MOSFETs器件沟道中存在应力时的器件特性,通过模拟我们分析了应力大小和方向发生变化对MOSFET的阈值电压、亚阈特性、开关态电
【机 构】
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北京大学微电子学系
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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