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本文用化学电共沉积法制备出GaAs多晶薄膜,并用该薄膜制备出肖特基势垒,对其制作工艺及有关问题进行了讨论和分析.
电沉积GaAs薄膜肖特基势垒的研究
【摘 要】
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本文用化学电共沉积法制备出GaAs多晶薄膜,并用该薄膜制备出肖特基势垒,对其制作工艺及有关问题进行了讨论和分析.
【机 构】
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哈尔滨工业大学(哈尔滨)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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2002年3期
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