透明导电电极(TCE)在光电子器件例如显示、照明以及光伏器件中具有很重要的作用。由于具有高的透过率以及高的电导率,锡掺杂的氧化铟(ITO)成为目前应用最广泛的透明导电电极。然而由于金属铟短缺,以及ITO固有的脆性,使得其难以满足人们对于透明导电电极大量及多样化的需求。新的透明导电电极得到了人们广泛的关注,其中柔性透明导电电极更是目前研究的热点。由于具有高的自由电子浓度,因而在所有室温环境的材料中,金属具有最高的电导率。金属块材具有很高的反射率,而超薄金属具有合适的可见光透过率,但是由于电子在薄膜表面以及晶界的散射导致超薄金属中的电导率比较低。本文将针对这个问题主要从两个方面来进行研究:(1)利用种子层来减小金属表面的粗糙度。本文通过在4 nm的银薄膜下面引入一层2 nm厚的金作为种子层,制作出了表面粗糙度小于0.5 nm的超薄金属层。并且测得其方阻为40Ω/sq,通过在其上旋涂不同厚度的ZnO,最终在玻璃基底上制得了在550 nm处透过率为82.2%,方阻为35.4Ω/sq的透明导电电极,将该电极应用于无色聚酰亚胺薄膜(cPI)中获得了在550 nm处透过率为80.8%,方阻为35.2Ω/sq并且与PI基底粘附性良好,机械性能良好的超薄金属叠层柔性透明导电电极。利用该柔性透明导电电极制备了基于F8BT的反式PLED器件,获得了发光亮度超过600 cd/m2,平均电流效率超过1 cd/A的器件。(2)为了进一步地降低方阻,从而制备出能够应用于大面积光电器件中的透明导电电极,本文在cPI膜上直接进行光刻制备金属网格透明电极。针对cPI直接光刻沉积剥离方法难以制作出完整的金属网格的缺点,本文利用等离子增强化学气相沉积的方法在cPI基底上沉积一层无机缓冲层使得直接光刻蒸镀剥离制备金属网格变得容易。通过制作不同尺寸的金属网格,最终制作出了550 nm处透过率为86.79%,方阻为15.3Ω/sq的金网格透明导电电极。