基于多孔氧化铝模板(AAO)生长的金属纳米线形貌规则,纵横比大,填充率高,纳米线生长晶面可控,这些优点使得AAO模板在磁学、光学、场发射和电致发光器件、传感器和光催化等领域得到了应用。利用二次阳极氧化法制备的AAO模板电沉积金属纳米线已经成为实验室比较成熟的手段,传统的AAO模板制作工艺存在制备周期长、获得的模板机械性能差等缺陷。目前,在研究AAO模板中生长纳米线过程中,很少研究纳米线生长速率问题。本文主要研究,利用AAO模板,通过电化学工作站恒电位极化法电沉积金属(Co、Ni、Cu)纳米线探究+2价金属在AAO模板中的生长速率快慢,以及通过量子隧道效应讨论产生金属纳米线速率不同的原因。主要研究内容有：(1)介绍了实验室制备AAO模板的详细过程,提出了传统制备AAO模板的缺陷。(2)AAO的孔径对其性能的影响很大。介绍了利用5%的磷酸溶液腐蚀时间和孔径大小的关系,给出了影响AAO模板孔径的因素。(3)利用电化学工作站恒电位极化法制备了金属(Co, Ni、Cu)纳米线,并对其进行了表征,讨论了纳米线生长过程中电流大小的变化。对比了三种金属在相同的电位下电流的差别。(4)讨论了纳米线生长过程中的电子转移过程,利用金属原子和金属表面之间的量子隧道效应原理,解释了金属纳米线生长速率存在差异的原因。总之,本文继承AAO模板的制备过程,总结了影响AAO孔径的具体因素。并利用电化学工作站电沉积金属(Co、Ni、Cu)纳米线,基于量子隧道效应原理,首次用金属原子功函数的观点解释了金属(Co、Ni、Cu)生长速率的快慢。