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伴随半导体技术的不断发展成熟,对作为大型集成电路基本单元的晶体管提出了更高的要求。摩尔定律表明了,随着半导体产业的发展需求,器件的尺寸会不断缩小。直到今天微电子技术已经达到了纳米级别,但等比例缩小到纳米级尺寸时带来了很多负面效应。例如MOSFET尺寸减小的同时势必会使沟道长度变小,由此带来更加明显的短沟道效应。而且集成电路的功耗限制和MOSFET晶体管的亚阈值摆幅在常温条件下无法低于60m V/dec这两个问题,也使得MOSFET器件越来越难以满足当今的需求。传统的隧穿场效应晶体管(TFET)是在P型和N型半导体材料之间增加一层低掺杂本征半导体的基础上形成的。与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)相比,TFET具有高灵敏度和低静态功耗的优点。普通隧穿场效应晶体管与MOSFET的导通原理不同,它通过载流子的隧穿机制进行工作。这种工作机制能够使TFET拥有更低的亚阈值摆幅,不再受到常温下MOSFET型器件亚阈值摆幅始终不能低于60mV/dec的限制。因为亚阈值摆幅直接影响到器件的开关性能,所以在器件开关性能这方面隧穿场效应晶体管要优于MOSFET晶体管。但是由于隧穿场效应晶体管受到半导体材料禁带宽度的限制,使隧穿场效应晶体管无法产生很高的隧穿几率,所以限制了它的导通电流。与MOSFET器件相比隧穿场效应晶体管的导通电流要低一些。更加严重的是,因为隧穿场效应晶体管的源电极和漏电极的掺杂类型是不同的,所以它的结构特征是非对称的,因此在某些方面不能取代具有对称结构特征的MOSFETs型器件。金属与半导体接触形成的势垒叫做肖特基势垒。肖特基势垒场效应晶体管利用肖特基势垒隧穿作为导通机理。相较于隧穿晶体管,肖特基势垒的高度要比半导体的禁带宽度更低一些,所以可以拥有相对更高的隧穿几率。而且由于金属可提供的电子入射量要高于半导体,所以肖特基势垒场效应晶体管的导通电流密度高于隧穿场效应晶体管。结合现今微电子技术与传统半导体结构性能,本论文提出一种源漏可互换双向开关肖特基势垒隧穿场效应晶体管。该器件的结构是对称的,它拥有源电极和漏电极能够相互对调的双向开关特性。在电学特性上具有高正反向电流比、低亚阈值摆幅的优点。本课题使用SILVACO-TCAD软件对所提出的源漏可互换双向开关肖特基势垒隧穿场效应晶体管进行仿真分析。改变了多组器件参数值,并研究了参数变化对此晶体管电学性能的影响。结合图像与理论知识对仿真结果进行解释说明,分析图像走势和几个重要的器件指标,从而得出源漏可互换双向开关肖特基势垒隧穿场效应晶体管的最合理尺寸,使其达到最优电学性能。对于以后半导体器件发展和集成电路研发有一定的价值。