微电子器件经常应用于各种辐射环境,在此情况下提高直拉硅单晶材料的抗辐照性能很有必要。在直拉硅单晶中掺锗被认为是提高抗辐照性能的措施之一。目前,关于掺锗对直拉硅单晶的中子辐照缺陷的影响仍不清楚。本文对比研究了由普通和掺锗直拉硅单晶制备的PN结二极管经中子辐照后的电学特性,以此探明掺锗如何影响直拉硅单晶的中子辐照缺陷的形成。此外,还研究了掺锗对直拉硅单晶的中子辐照缺陷演变行为的影响。研究了直拉硅单晶中浓度为1020cm-3数量级的锗掺杂对中子辐照造成的PN结二极管电学性能退化的影响。通过对电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)和电容-电压(C-Ⅴ)特性曲线的分析,发现经中子辐照后由掺锗直拉硅单晶制备的二极管在正向电流和反向漏电流上的增加幅度明显小于由普通直拉硅单晶制备的二极管。分析认为,这是由于掺锗在一定程度上减少了直拉硅单晶中由中子辐照引起的深能级缺陷,显示出掺锗的抗中子辐照效应。通过间隙氧原子浓度的变化表征了普通和掺锗直拉硅单晶的中子辐照缺陷的演变行为。研究发现,在低温热处理时,掺锗直拉硅单晶的间隙氧原子浓度下降速率小于普通直拉硅单晶的。这是因为掺锗抑制了VO复合体向多空位-多氧复合体(VmOn)的转换。另外,对中子辐照后的普通和掺锗直拉硅单晶进行低高两步氧沉淀热处理。结果表明：辐照促进氧沉淀的生成,而掺锗直拉硅单晶的氧沉淀过程弱于普通直拉硅单晶的。这是由于中子辐照后,辐照缺陷演变而来的VmOn复合体可充当有效的氧沉淀异质形核中心,但掺锗抑制了这种异质形核中心在低温热处理阶段的形成。