“大数据”时代对信息存储的容量、速度、稳定性等指标要求越来越高,对用于存储介质材料的也提出了更高的需求。基于有机场效应晶体管的非易失性存储器,由于引入了具有分子设计优势的有机光电材料,因此能够通过分子电子结构调整、有机/无机掺杂等方式实现对存储性能的可控调控,拓宽了传统硅基半导体存储器的应用场景,例如可应用于柔性存储、光存储等。同时,基于有机场效应晶体管存储器的人工突触也是近几年来的研究热点,可潜在应用于存算一体芯片、感知智能芯片。因此,有机场效应晶体管存储器技术备受学术界和工业界的关注。本论文选用钙钛矿量子点作为存储介质,与有机驻极体PMMA组合构建了一种混合浮栅型有机场效应晶体管存储器,探究了钙钛矿量子点的结晶形貌效应对存储性能的影响,并最终将其应用于仿生突触器件的研制。主要研究内容如下:1.研究了不同溶剂下CsPbBr₃ QDs的薄膜结晶生长情况,并对形貌诱导的有机场效应晶体管存储器的电学特性做了对比研究,发现采用正己烷作为溶剂时可形成非连续大尺寸的结晶形貌,存储器件表现出双极性存储特征,在±40.0 V的写入电压下存储窗口达28 V。2.研究了分别以CsPbBr₃ QDs、CsPbCl₃ QDs和CsPbI₃ QDs作为纳米浮栅存储介质的有机场效应晶体管存储器的存储特性,在相同的溶液浓度下,卤素离子会改变存储层的结晶生长形貌,CsPbCl₃ QDs器件俘获空穴的能力最强,CsPbBr₃ QDs器件俘获电子的能力最强,三种量子点器件的电子俘获能力都优于其空穴俘获能力。3.在上述工作的基础上,选择双极性电荷存储能力最强的CsPbBr₃ QDs,制备了基于并五苯半导体层的晶体管突触器件,该器件可实现基本的突触功能模拟,如增强-抑制特性、稳态塑性等。研究结果表明,施加栅压的大小和CsPbBr₃ QDs的浓度均可以调节该突触器件的塑性特性。