发光二极管(LED)是种触发能发光的PN结二极管,可以看成是半导体二极管的一种。电子与空穴会在有适当的电压作用下会产生复合,同时以光子的模式释放出能量。结温是衡量LED寿命和性能的一个很重要因素,但是对于封装完成的LED很难直接测量其结温。在本文研究中,我们使用光学相干断层扫描技术直接测量LED结温。光学相干断层扫描技术是基于干涉仪通过接收样品的背向反射信号,可以重建深度范围为3毫米的纵向解析微观结构。本文主要完成工作如下:1、介绍了 LED的发展概况以及LED结温的重要性。2、讲述了光学相干断层扫描技术的原理,从干涉原理定义展开,系统阐述了光学相干断层扫描技术从时域层次向频域层次的发展历程。在此基础上,重点介绍了两种干涉仪,了解两种不同架构的干涉仪在系统中对成像的区别。3、针对LabVIEW的软件系统设计展开研究,重点讲述了LabVIEW系统框架的各个组成部分,依次是时序控制、图像采集、图像处理和图像重建。4、利用电压法,给LED两极通3V的电压,模拟LED在正常工作时,比较有导热胶和无导热胶LED,其芯片相位项干涉信号强度的变化。5、通过给LED注入周期为7.5 s的脉冲电流,去除瞬间温度效应的影响,LED在亮与不亮之间持续进行,但是我们肉眼观察到LED是长亮的状态。这样LED结温与其外部温度相同,通过控制LED结温的变化,观察其干涉信号强度变化关系。从本论文的实验结果中可以看出,光学相干断层扫描技术可能成为一个有效的工具无损坏测量LED结温从而用于评估LED寿命和性能。