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在N型6H－SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti/6H-SiC肖特基势垒二极管（SBD）。通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性，反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压VR＝200V时，反向漏电流JR低于1×10^-4A/cm^2,采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V。