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采用恒定电压应力对90nm NMOS器件进行了TDDB击穿的评价实验，深入研究了90nm情况下TDDB的击穿机理，并对器件寿命进行预测和分析。结果表明，随着栅厚的不断减薄，E和1／E寿命预测模型不再适用。本文提出了一个器件寿命的修正模型，并按此模型对NMOS器件寿命进行预测，结果和实际值取得了很好的一致。