La2-xSrxCuO4单晶的平面内磁阻研究

来源 :低温物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kanhyou2009

【摘要】

：

测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x＝0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,

【作者】

：

李世燕阮可青曹强曹烈兆陈仙辉袁松柳

【机构】

：

中国科学技术大学结构分析开放实验室,物理系,合肥,230026;华中理工大学,武汉

【出处】

：

低温物理学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

单晶面内磁阻横向磁阻平面内电子有效质量横向与纵向各向异性电子轨道掺杂浓度不同组分样品显示温度含量测量

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测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x＝0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,表明横向磁阻的主要贡献是电子轨道部分,也反映了ab面内和c方向电子有效质量的各向异性.三种成分单晶样品的平面内横向磁阻在不同温度随Sr含量x的变化显示在最佳掺杂浓度附近平面横向磁阻最大.

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