【摘 要】
:
自从晶体管问世之后,人们就注意到p-n结的温度特性,随着温度的升高,p-n结反向电流加大,正向压降减小,它是引起晶体管电路温度漂移的主要原因.从五十年代到现在,人们一直在从
【机 构】
:
第一机械工业部机械工业自动化研究所,第一机械工业部机械工业自动化研究所
论文部分内容阅读
自从晶体管问世之后,人们就注意到p-n结的温度特性,随着温度的升高,p-n结反向电流加大,正向压降减小,它是引起晶体管电路温度漂移的主要原因.从五十年代到现在,人们一直在从器件与线路两个方面努力克服这种影响.另一方面,一切与温度有关的物理过程又都可以利用来测量温度.利用p
Since the advent of transistors, people have noticed the temperature characteristics of pn junction, with the increase of temperature, pn junction reverse current increases, the forward voltage drop decreases, it is caused by transistor temperature drift of the main reasons.From five From the decade to the present, people have been trying to overcome this effect both in terms of devices and circuits, on the other hand, all the temperature-related physical processes can be used to measure the temperature.Using p
其他文献
瞬态互调失真是影响OCL电路性能的重要原因,降低大环路负反馈的深度、取消滞后补偿电容是减小瞬态互调失真的重要途径之一,而这一切都要求首先减小OCL电路的开环失真。本文想
本文研究了直流多靶溅射Pt_5Si_2—Ti—Pt—Au多层金属化系统的溅射条件并讨论了梁式引线和肖特基势垒二极管的生成机理。
In this paper, the sputtering conditions of mu
现在的软件对CPU性能的要求真是 越来越高了,小弟我一直用着PⅢ866,长期做着“高端”梦,但如今看着一个个新软件在电脑上越跑越慢,心里真是大不忿;怎么这些东东那么消耗资源呀!虽然回想起
本文首次运用Rothwarf的晶界复合损失模型及其修正因子分析和计算p—n结类型多晶Si太阳电池的光电流和短路电流。导出多晶Si少子有效寿命τ*和扩散长度L*与晶粒度和晶界表面
一、引言在半导体工业特别在集成电路制造工艺的照象制版技术中,需要用很多手工操作,同时还要甩很多化学药品。这些化学药品的操作有危险性同时其废液的处理也很困难,因此应
PECVD SiN膜在半导体器件表面钝化推广应用中,采用一种SiO-SiN双重结构形式.本文介绍了有关的试验数据、理论分析以及实际应用.
PECVD SiN film in the semiconductor devic
新课程标准指出,高中数学教学应从学生的实际情况出发,创设有利于学生自主学习的问题情境,引导学生通过实践、思考、探索、交流,获得知识,形成技能,发展思维,学会学习,促使学
近年来,PMOS数字集成电路广泛用于电测仪器仪表中,它的特点是集成度较高,抗干扰能力强,系列齐全,价格便宜,工作在频率小于1MHz的电路里是很适宜的。然而,PMOS电路的输出端总
青岛海锐海洋生物工程有限公司、崂山区东海湾对虾养殖场总经理董中善,经常被别人亲切地称为“董老海”。虽然经商多年,但跟海打了一辈子交道的老董身上仍带着渔民特有的朴实
欧米克是个新概念,它树立了全新的购机和装机概念,欧米克也是个新名词,是Own Myself Individual Personal Computer(拥有自己的个性化电脑)的缩写,音译为欧米克。有人说欧米