【摘 要】
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为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位Bi少量缺
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,中国科学院上海硅酸盐研究所
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为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响，对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究，结果表明，A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长，使其烧结温度降低，烧结样品的晶相组成仍为正交BiNbO4相，微波介电性能有所改善；A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响，Bi过量达0.030时，烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生，样品的微波介电性能急剧恶化.
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