【摘 要】
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采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容
【机 构】
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北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,
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采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求。
Using magnetron sputtering method deposited on the p-Si (100) substrate doped and undoped CeO2 HfO2 film. The X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used to study the stoichiometry and binding energy of the elements in the thin films. The MOS structure was prepared and the electrical properties such as leakage current and capacitance were characterized. The results show that after the CeO2 is doped, the oxygen vacancies can be increased, the number of oxygen vacancies decreased and the leakage current decreased by one order of magnitude compared with the pure HfO2, which meets the requirements of high-k materials.
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