【摘 要】
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叙述了亚微米单栅和双栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)的微波性能。也讨论了设计考虑和器件工艺。这些GaAsMESFET 在 x 波段上的低噪声和高增益性能都超过了以
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叙述了亚微米单栅和双栅砷化镓金属—半导体场效应晶体管(GaAsMESFET)的微波性能。也讨论了设计考虑和器件工艺。这些GaAsMESFET 在 x 波段上的低噪声和高增益性能都超过了以往水平,对于0.5微米单栅 MESFET 在12千兆赫下噪声系数为2.9分贝、相应的增益为10.0分贝,1微米双栅 MESFET 在同样频率下噪声系数为3.9分贝、相应的增益为13.2分贝。
The microwave performance of submicron single-gate and double-gate GaAsMESFETs is described. Also discussed are design considerations and device technologies. The low noise and high gain performance of these GaAsMESFETs over the x-band exceeds that of their predecessors. For 0.5-micron single-gate MESFETs, the noise figure is 2.9 dB at 12 GHz and the corresponding gain is 10.0 dB. The 1-micron dual-gate MESFETs are identical The noise figure for the frequency is 3.9 dB and the corresponding gain is 13.2 dB.
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