【摘 要】
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采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧对薄膜电阻影响,以及组分对其性能的影响。研
【机 构】
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电子科技大学光电信息学院,重庆光电技术研究所,
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采用快速蒸发并冷却衬底的方法,在不同衬底结构上制备出了电阻温度系数(TCR)优于0.25%的红外探测用非晶Ti薄膜。通过表征分析了氧对薄膜电阻影响,以及组分对其性能的影响。研究表明,Ti薄膜有较强吸附氧能力,低价态的Ti利于红外探测。提出采用保护层和非氧硅化物牺牲层以提高薄膜探测能力。
An amorphous Ti film for infrared detection with a TCR of better than 0.25% was fabricated on different substrate structures by rapid evaporation and cooling of the substrate. The effect of oxygen on the sheet resistance and the effect of composition on its properties were analyzed by characterization. Studies have shown that Ti film has a strong ability to adsorb oxygen, low-priced Ti conducive to infrared detection. Proposed to use protective layer and non-oxysilicide sacrificial layer to improve the film detection ability.
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