【摘 要】
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本文給出了硅合金結n—p—n型晶体管及扩散結n—p—n型晶体管低频h参数溫度关系(—70℃～+170℃)的实驗结果。结果表明这两种晶体管在—70℃～+120℃的温度范圍內h参数相应变化不
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本文給出了硅合金結n—p—n型晶体管及扩散結n—p—n型晶体管低频h参数溫度关系(—70℃～+170℃)的实驗结果。结果表明这两种晶体管在—70℃～+120℃的温度范圍內h参数相应变化不大。文中还給出了从—70℃～+170℃温度范圍内反向飽和电流I_(co)随温度的变化規律。
The experimental results of the temperature dependence of the low-frequency h-parameters of silicon alloy junction n-p-n type transistors and diffusion junction n-p-n type transistors (-70 ℃ ~ + 170 ℃) are given in this paper. The results show that these two transistors in the -70 ℃ ~ +120 ℃ temperature range h parameters corresponding little change. The law of the reverse saturation current I_ (co) with temperature in the temperature range of -70 ℃ ~ + 170 ℃ is also given in this paper.
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