【摘 要】
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附图所示电路具有与隧道二极管相似的伏安特性,当电流I_k改变时,其峰值电流还可以在很宽的范围内变化.其具有负阻特性的解释如下:电流I_k由直流电源供给,设晶体管Q_1和Q_2相
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附图所示电路具有与隧道二极管相似的伏安特性,当电流I_k改变时,其峰值电流还可以在很宽的范围内变化.其具有负阻特性的解释如下:电流I_k由直流电源供给,设晶体管Q_1和Q_2相同,I_x等于I_k,V_(xy)等于V_(ky),由上述假设得到I_(B_1)和I_(B_2)相等.
The circuit shown in the figure has a volt-ampere characteristic similar to that of a tunnel diode and its peak current can also be varied over a wide range when the current I_k is changed.The explanation of the negative resistance characteristic is as follows: The current I_k is supplied by a direct current power source, Assuming that the transistors Q_1 and Q_2 are the same, I_x is equal to I_k and V_ (xy) is equal to V_ (ky). From the above assumptions, I_ (B_1) and I_ (B_2) are equal.
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