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简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的 阈值电流密度为5KA/cm2.
InGaAs／InAlAs量子级联激光器研究
【摘 要】
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简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应的 阈值电流密度为5KA/cm2.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,PhysicsDepartimet
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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2001年1期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金
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