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FDMC86XXXP系列P沟道PowerTrenchMOSFET在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261I’150V和FDMC86139P100VP沟道MOSFET。与同类器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数（FOM）。此外，其导通损耗减小_，46％，开关损耗减小了38％。因此，设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。