【摘 要】
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用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值电区减小 ,而漏电流和亚阈值摆幅增大 ,导致
【机 构】
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用二维模拟软件 ISE研究了典型的 70 nm高 K介质 MOSFETs的短沟性能 .结果表明 ,由于 FIBL 效应 ,随着栅介质介电常数的增大 ,阈值电区减小 ,而漏电流和亚阈值摆幅增大 ,导致器件短沟性能退化 .这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制
The short-channel performance of the typical 70 nm high-K MOSFETs is studied by ISE software. The results show that due to the FIBL effect, the threshold region decreases with the increase of the dielectric constant of the gate dielectric. However, Increasing the threshold swing results in degraded device ditch properties, which can be suppressed by changing the sidewall material
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