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用弛豫时间近似和紧致密度矩阵方法，在施加偏向电场的GaAs方量子阱中，研究了退极化场对光学整流的影响。结果表明，退极化场使共振峰的位置向高能方向发生移动。对应三个不同的偏向电场F=3×104V／cm，4×104V／cm，8×104V／cm的共振峰的位置分别为^u=108．48meV，108．92meV，111．99meV。共振峰位置的偏移量分别为5．96meV、5．99meV、6．28meV，其偏移量随偏向电场的增大而略有增大。