【摘 要】
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a-Si:H films were prepared by the mercury sensitized photo-CVD with SiH4 flow. The maximum deposition rate of 142A/min has been obtioned. The maximum ratio of t
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
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a-Si:H films were prepared by the mercury sensitized photo-CVD with SiH4 flow. The maximum deposition rate of 142A/min has been obtioned. The maximum ratio of the photo conductivity to the dark conductivity was 1×104 with an optical bandgap of 1.70eV. Si-H banding structrue was dominated, with high a content of oxygen in films.
The maximum ratio of the photo-conductivity to the dark conductivity was 1 × 104 with an optical bandgap of 1.70eV. Si-H banding structrue was dominated, with high a content of oxygen in films.
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