LDMOSFET漂移区参数灵敏度分析

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【摘要】

：

高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电

【作者】

：

孙智林孙伟锋易扬波陆生礼

【机构】

：

东南大学

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

LDMOSFET 漂移区击穿电压导通电阻长度结深浓度灵敏度 Power device Compatible process LDMOSFET

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高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响.根据分析结果,提出了一种改进方案.模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上.

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