【摘 要】
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本文用蒸镀法制备了Sb_2Se_3。光盘记录介质膜,用背散射分析测定了介质膜的成分。在210℃热退火过程中,Sb_2Se_3膜的光透射率从32％变化到7％。透射电镜分析表明,光学特性的改变
【机 构】
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清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,清华大学工程物理系,
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本文用蒸镀法制备了Sb_2Se_3。光盘记录介质膜,用背散射分析测定了介质膜的成分。在210℃热退火过程中,Sb_2Se_3膜的光透射率从32％变化到7％。透射电镜分析表明,光学特性的改变与介质膜结构从非晶态向晶态的转变有关。
In this paper, Sb_2Se_3 was prepared by vapor deposition. Optical recording medium film, backscattering analysis measured the composition of the dielectric film. During the thermal annealing at 210 ℃, the transmittance of Sb 2 Se 3 film changed from 32% to 7%. Transmission electron microscopy analysis showed that the change of optical properties was related to the transition of the dielectric film structure from amorphous to crystalline state.
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