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SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mengjie86
【摘 要】
:
针对SOI器件中的态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的
【作 者】
:
卜伟海
黄如
等
【机 构】
:
北京大学微电子所
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
2001年9期
【关键词】
:
SOI器件
浮体效应
环振电路
集成电路
SOI
floating-body effect
ring oscillator
【基金项目】
:
国家重点基础研究专项基金 ( 2 0 0 0 0 36 5 ),,国家自然科学基金 ( No.6 9976 0 0 1)资助项目~~
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针对SOI器件中的态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响,并提出了抑制器件浮件效应的器件结构和参数优化设计。
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